6Н135С-ТА1

OPTOISO 5KV TRANS С БАЗОЙ 8DIP

Отправить запрос

Описание

Технические параметры

Сопутствующие товары:

Производитель части	6N135S	6Н135С-ТА	6Н135С-ТА1	6Н135СТА1-В
Описание	ОПТОПАРА, ВЫХОД ФОТОТРАНЗИСТОРА	ОПТОПАРА, ВЫХОД ФОТОТРАНЗИСТОРА	ОПТОПАРА, ВЫХОД ФОТОТРАНЗИСТОРА	ОПТОПАРА, ВЫХОД ФОТОТРАНЗИСТОРА
Запас	80000	80000	80000	80000
Статус продукта	Активный	Активный	Активный	Активный
Напряжение – изоляция	5000 В (среднеквадратичное значение)	5000 В (среднеквадратичное значение)	5000 В (среднеквадратичное значение)	5000 В (среднеквадратичное значение)
Текущий коэффициент передачи (мин.)	7% при 16 мА	7% при 16 мА	7% при 16 мА	7% при 16 мА
Текущий коэффициент передачи (макс.)	50% при 16 мА	50% при 16 мА	50% при 16 мА	50% при 16 мА
Время включения/выключения (типовое)	150 нс, 700 нс	150 нс, 700 нс	150 нс, 700 нс	150 нс, 700 нс
Тип входа	округ Колумбия	округ Колумбия	округ Колумбия	округ Колумбия
Тип выхода	Транзистор 1 МБ	Транзистор 1 МБ	Транзистор 1 МБ	Транзистор 1 МБ
Напряжение - Выход (Макс.)	20V	20V	20V	20V
Ток — выход/канал	8мА	8мА	8мА	8мА
Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	1.45V	1.45V	1.45V	1.45V
Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)	25 мА	25 мА	25 мА	25 мА
Рабочая температура	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C
Пакет/кейс	СМД8(7,62 мм)	СМД8(7,62 мм)	СМД8(7,62 мм)	СМД8(7,62 мм)
Упаковка	Лента и катушка (TR)	Лента и катушка (TR)	Лента и катушка (TR)	Лента и катушка (TR)

Приложениеs:

• Изоляция высокого напряжения

• изоляция в линейных приемниках

• Элемент обратной связи в импульсном источнике питания.

• Изоляция силовых транзисторов в электроприводах.

• Интерфейс между микропроцессорной системой, компьютером и их периферийным оборудованием.

• Замените импульсные трансформаторы.

• Замените более медленные изоляторы оптронов.

Общее описание:

6N135/6 состоит из высокоэффективного светодиода AlGaAs и высокоскоростного оптического детектора. Такая конструкция обеспечивает отличную изоляцию по постоянному и переменному току между входной и выходной сторонами оптопары. Подключение смещения фотодиода повышает скорость по сравнению с обычным фототранзисторным соединителем за счет уменьшения емкостей база-коллектор. Внутренний экран обеспечивает высокую устойчивость к синфазным переходным процессам. Гарантированная устойчивость к синфазным переходным процессам составляет до 1 кВ/мкс.

горячая этикетка : 6н135с-та1, Китай 6н135с-та1 производители, поставщики

Предыдущая статья

6Н136С-ТА1

Следующая статья

4Н37С-ТА1

Отправить запрос

Вам также может понравиться